关于光栅损耗求解与文献差别较大的问题

老师您好 我参考了该文献06058719.pdf (1.2 MB) 希望能够验证光栅的损耗的求解,按照文中定义了光栅结构,图中是250*260nm周期为300nm占空比为33%的光栅损耗,2.6db/cm
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而我求解出的损耗在70DB/um左右 换算成DB/CM的单位 为700000db/cm左右 相差是在过大,左图是拟合情况,该拟合合适吗?
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已经加长了Y方向的仿真区使PML远离光栅。
这是我的仿真文件 谢谢老师
Waveguide3D (3).fsp (6.1 MB)
Waveguide3D (2).lsf (2.9 KB)

这是两种不同的方法,文献是测量3个有限长度得到的结果,你的仿真是无限长 的结果,二者应该是有些差别的。

你可能没有区分两种方法的不同:我们仿真的结果不需要拟合文献中的那种拟合,仿真的拟合主要是拟合K与W的函数关系进而解析方法得到群速度。

建议:
1: 因为此时Si没有损耗,请使用固定折射率
2: 将PML远离结构,以免其影响结果。具体说,增加YZ的SPan。
如果你只需某个波长附近的Loss, 没有必要计算很宽的光谱。

请你修改测试看看.要得到好的结果需要反复调整.

重要一点: 文献中显示


然而你的材料系统中哪里有Polymer材料啊?你的结构与文献一样吗?材料折射率都是多少?你不能自己猜一个数就要与文献比较,参见 我的结果为什么与文献或实验结果不一致?

老师您好 我明白仿真结果是有差别的 而且该文献的损耗是实际测量的 我只是想得到类似数量级的结果。
关于Polymer材料的折射率我是进行推算的,因为文中提到在1.55um处 SWG等效的直波导折射率为2.65,因为其仿真是50%占空比的波导 由image 公式进行推算之后,得到该材料折射率为1.339,因此在仿真时使用了固定折射率image


按照您的建议 把折射率改成了定值 在ZY方向上又加大了距离 减少了扫描K值的范围,但求出的损耗依然是之前的数量级,仿真时间也有调整但变化不大。
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你仿真的与实际器件很可能材料不太相同,还有可能是结构参数不同。将实验本身与仿真结果比较就是非常有挑战性的,参见之前的哪个帖子。

我的建议是你先找一个仿真的器件看看能否重复。不能重复的原因无非是软件问题(可能性很小)、设置的问题以及结构和材料的问题。你需要逐一排除,先从结构和材料开始。