谐振腔透射谱线与品质因数计算

老师您好:
我对波导耦合微盘腔进行仿真,通过改变耦合间隙来寻找临界耦合点。随着耦合间隙不断增加,通过透射谱线可以看出耦合越来越弱,但是Q analysis得出的品质因数却越来越高,请问这是什么原因呢。
下面附了间隙为0.2 um和0.4 um的透射谱线,求出的品质因数分别为4468和5761。
耦合间隙0.2um
耦合间隙0.4um

如果有理论证明耦合“弱”时品质因数应该变低,而结果相反的主要原因应该是,耦合强的仿真时间不足够,AUtoshutoff太大,你需要大大减小AutoshutoffMin,增加仿真时间,让谐振波长处的强度逐步累积。

另外一个问题:你是如何确定耦合强弱的?是耦合系数吗?如果是的话,你可以仅仿真耦合系数,看看何时最大。

以上是我的建议。

老师您好

我是通过透射谱线的峰值来确定耦合强弱的,随着耦合距离越来越远,峰值也会有相应变化,如之前的图2中峰值仅有0.86。另外通过profile监视器也可以看出耦合很弱。

关于shutoff的问题,当系统能量大约降低到1e-4时,整个系统的能量减小就会很慢,甚至在某些耦合情况下会发散,导致无法减小autoshutoff。w400_t150_g200_r4.fsp (342.7 KB)

另外想请教一下,如何才能测量耦合系数呢,应该用什么监视器放在什么位置呢?

我将文件上传了,麻烦老师能给看一下。

这个可能不正确,取决于你的仿真设置。

这个很正常,说明有些波长在谐振。

这个才是问题的关键。一般情况可能是PML厚度不够,你自己参考以前的帖子修改试一下吧。
另外, Single Bus 的这种器件因为少了一个出口,谐振比双Bus强,本身就需要很长的仿真时间,也很容易发散。

请先给出可以量测计算耦合系数的数学公式。