光波生成オブジェクトとよくわからないエラー


#1

以下に添付する論文の光検出器を解析しようとしています.しかしながら,DEVICEのシミュレーションにおいて,逆バイアス電圧を-4以上に設定しシミュレーションが98%に到達すると以下のエラーが表示されます.
MININT-BS5KS26(process 0): The program terminated due to an error: The simulated result is incomplete. Please review the log files for details.
MININT-BS5KS26(process 0): Error: there was an unknown parallel error. The error code is 9002, the process number is 0
I18N Runtime Warning:
Missing ICU data file detected while processing directory containing libut.{dll|so|sl|dylib}.
Hint: Check for a misconfigured environment or installation.
I18N Runtime Warning:
Misconfigured ICU_DATA directory path.
Hint: Check for a misconfigured environment or installation
逆バイアス電圧が-4以下のときは正常に動作していたのですが,どうしてこのようなエラーが出るかわかりません.

また,.matファイルをFDTDからDEVICEにインポートする際にgenerationオブジェクトの位置が変わってしまうという問題も発生していますA-high-responsivity-photodetector-absent-metalgermanium.pdf (2.4 MB)
.generation_rateオブジェクトをFDTDからDEVICEにインポートする場合,FDTD内で設定したオブジェクトの座標や大きさは保持されるべきなのですが,座標がシフトしてしまいます.どうすればよいでしょうか.


#2

逆バイアス電圧が-4以下のときは正常に動作していたのですが,どうしてこのようなエラーが出るかわかりません.

-4Vより小さい逆バイアス電圧で駆動していたのであれば,一つ考えられる原因は特定の領域で電界の変化が急峻になってしまっていることです.この場合電界のピークが見られる領域でメッシュを細かく設定する必要があります."save and quit"を選択してシミュレーションが収束する最大のバイアス電圧点を見つけ出して,その電界を確認してみてください.
ほかに確認すべき点は,ドーピングオブジェクトです.定数ドーピングを用いているのであれば,代わりに拡散ドーピングを用いることをお勧めします.

FDTD内で設定したオブジェクトの座標や大きさは保持されるべきなのですが,座標がシフトしてしまいます

シフトはほとんどの場合sourceのx,y,z値によるものです.sourceのx, y, z値はインポートされたgeneration dataのシフト値に反映されます.これらの値がゼロでなければ,インポートしたgenerationオブジェクトはシフトしてしまいます.たいていの場合,generationオブジェクトをインポートしたときにCADウィンドウの中心に配置されます.しかしながら中心の座標が(0,0,0)でない場合,インポートされるgeneration objectsの座標はゼロではなくなります.