Continuing the discussion from 如何正确计算场与远场:
我有一些问题：
1、我的器件是晶圆级LED（2 inchs 的晶圆上通过微纳工艺制造的LED单胞），一般的文献中在设置光源时都选用的是Dipole,我理解的偶极子光源是点光源，因为我的LED尺寸很大，仿真时选择点光源是不合理的，我考虑的是在器件不同的位置，每个位置设置沿三个方向偏振的Dipole，这样做会增加仿真时间，我不知道是否有更好的设置方法。
2、我的器件表面有一些周期性的金字塔状的纳米结构，我想研究这些纳米结构对光场分布的影响，我的做法是研究一个单胞，然后在X、Y方向上设置成周期性边界条件，然后通过Farfield函数得到远场分布图，但是我看了官网上的资料https://kb.lumerical.com/en/index.html?oleds.html，对于介绍的
Top hat illumination 情形有点迷惑，不知道自己的做法是否正确？
第一个问题：我们主要仿真的是单个LED，不是阵列。如果是单个LED，其面积越大，用我们的方法越正确。参见
由于LED发光时非相关的，我们使用３个不同方向的偶极子光源然后强度叠加来仿真非相干。增加仿真时间是必须的。
第二个问题：我们的确采用你说的方法。 但是，Top hat illumination 应该是周期结构远场计算时的近似分析方法，在LED仿真中，尽管结构是周期性的，然而光源却没有周期性，因此不适用“周期结构”的分析。
如果你看到上述回复后还有问题，请修改原帖子，我修改答复以免帖子太长。
您好，多谢您的指导，对于第二个问题，我的LED是阵列结构（单胞与单胞之间的gap为30um）的面光源,表面微结构是六角形周期排列的，我使用晶格对称性来减少运算，这样通过farfield以及相关脚本计算得到的远场分布是否正确？
前面已经说过，我们目前的方法是使用一个点光源，按一定原则改变其位置和偏振获得LED或者OLED。这样能保证结果是非相干的，参见这个帖子 关于OLED 仿真时光源的设置问题
如果是阵列结构，可能需要所谓的面光源，也就是要仿真很多点光源，对此我们没有例子。
能不能用对称性边界？原则上讲不能，因为使用对称性边界后，光源是按照这种对称性分布的，例如，对称边界，说明此边界两边的光源完全一样，那么可能会产生空间相干效应（实际上也有时间相干效应）。如果你们对非相干性没有严格要求，可以一试。
OLED仿真的视频参见这个优酷连接。
如果你的OLED尺寸非常小，例如３＊３微米，可以用一种特殊的方法开发新的面光源，有需要者请留言。
我不太明白你说的多个周期的LED阵列具体是什么样？一个周期的发光会串到相邻周期吗？如果不能，可能不能使用周期结构。最好给出示意图。
一个周期大概有几百个纳米？确定是纳米？如果是的话相当于添加了光子晶体结构，那也不能用周期边界，因为光的确会串，参见这个视频：
OLED仿真技术中文版
里面有一个二维OLED的小电影。
我看了一下新光源的算法，实际上也不是真正的面光源，是根据一定的原理放置不同的偶极子，统计平均结果，也需要仿真很多次，一般情况下似乎并不占绝对优势。而且它也不能使用周期边界。
如果真是只有几百纳米的周期，我等建议是你添加数百个随机（位置，偏振，振幅，位相，脉冲长度）的偶极子，做一些列仿真，然后对这个随机过程取统计平均，可能更符合实际。
因此，要合理仿真，还需要你自己对此LED的光学原理和发光机理作进一步了解，然后才能实施仿真。
如果LED只是层次结构也就是薄膜系统，没有微结构，可以考虑用解析方法分析，视频很快上网。
