Continuing the discussion from 如何正确计算场与远场:
我有一些问题:
1、我的器件是晶圆级LED(2 inchs 的晶圆上通过微纳工艺制造的LED单胞),一般的文献中在设置光源时都选用的是Dipole,我理解的偶极子光源是点光源,因为我的LED尺寸很大,仿真时选择点光源是不合理的,我考虑的是在器件不同的位置,每个位置设置沿三个方向偏振的Dipole,这样做会增加仿真时间,我不知道是否有更好的设置方法。
2、我的器件表面有一些周期性的金字塔状的纳米结构,我想研究这些纳米结构对光场分布的影响,我的做法是研究一个单胞,然后在X、Y方向上设置成周期性边界条件,然后通过Farfield函数得到远场分布图,但是我看了官网上的资料https://kb.lumerical.com/en/index.html?oleds.html,对于介绍的
Top hat illumination 情形有点迷惑,不知道自己的做法是否正确?