请问在官网的超材料的Terahertz Resonator案例中,为什么要加入一个diffusion doping?

device

#1


#2

这个是半导体器件中常用的掺杂啊,要不然载流子如何有效地移动呢?nepi只是均匀的低密度背景掺杂。


#3

但是nepi中使用的2e16cm^-3的n型掺杂才是文献中使用的掺杂浓度,而且diffusion掺杂的区域和浓度都很小


#4

我估计是因为文献中给出的参数不全,我们做例子时采用了一般的假设得到结果。你可以看出我们结果与文献有不小的差别。这个例子还有改进的空间,只是我们还没有抽出时间。


#5

谢谢孙老师!请问有没有关于constant doping和diffusion doping的介绍,在哪种情况下该用constant doping,哪种情况下该用diffusion doping?


#6

没有更多介绍,如果你到超净实验室亲手做一个器件就知道了。constant doping 是均匀掺杂,对半导体的基础掺杂。而diffusion doping一般是局部的,高掺杂。