PN节simulation出错

device

#1

刚用device,自己随意设计了一个节模拟,当加电压的时候模拟会出问题,如下图:


#2

从出错信息看,是牛顿法迭代缺省的40次结果没有收敛。由于没有源文件,不知道你是仿真稳态还是瞬态,建议你
1:参考这个帖子看看是否需要另外一个迭代法 Device里面的两种迭代求解方法如何选择
2:查看这个帖子https://kx.lumerical.com/t/device-device-region/900 看看是否需要修改一些参数获得收敛结果。

参看这个例子,检查设置是否有问题。
如果仍有问题,请附源文件,或者另外再来信。


#3

我的模拟是稳态模拟,我希望得到的是在加偏压的时候PN节各处的电流密度和载流子的浓度以及能带图。
在n_Ge区当注入电流时,n载流子的数目会变化,带来变化的原因是因为有注入载流子,而注入载流子是与电流相关的一个量,我想得到这两者之间的一个关系。

两种迭代法都试过,都会出现同样的问题,在不加电压的时候都可以运行,加电压就会出问题。

另外文件太大无法上传,不知道应该如何能够发给您。


#4

你这样的结构应该不会需要很大的内存,可能你用的三角形太小了。你可以将网格用缺省的数值,或者加粗,降低内存发来。也可以通过免费的第三方大文件传输发送。
请先参看前面的例子修改你的文件看看结果如何。


#5

您好,我通过邮件发送给你了,不知道您能否收到


#6

文件收到。像你这样的文件,X方向可以用很小的仿真区;最细的长度不要太细,选0.1微米或更大;你的掺杂有问题:首先半导体材料应该有均匀的背景掺杂,然后根据需要,用扩散法给需要的材料添加N或者P掺杂。请确认你的掺杂的类型和浓度是正确的。
我选0.1微米可以得到结果。你再检查测试,另外请参考这个帖子,是关于网格设置的