MOS cap carrier distribution simulation

device

#1

我在仿真MOS cap两侧的载流子分布式总是出现 一个问题叫做:


但是这个问题太笼统了我不知道怎么解决。我的文件太大无法上传,所以发到了你们官方的support@lumerical.com了。 谢谢


#2

我做了些修改和测试,并于DEVICE专家作了讨论,感觉到你的这个结构可能是有些问题,请回信告知你要仿真的器件结构到底是怎么样的?你的设计和i常规器件不同,另外Anode不在仿真区,下面的结构似乎也准备包含在器件中。
你的结构由于对称性,仅仿真一半就可以。
请回信详细说明。


#3

是的我这个结构比较复杂有些地方没必要,只是想做的完整些可能会对仿真的结果有帮助而已。这个问题其实已经解决了,我将参杂起始浓度和最后的浓度设成了一个值,但是junction width不是0,可能是因为这个导致电脑无法模拟出结果。总的来说我就是想做一个MOS cap的载流子浓度分布。我的问题其实是在pn结,因为用device迟迟无法得到想要的结果才退而求其次做了moscap。之前我也有问过,在仿真pn 结两侧的载流子浓度时:1 有没有什么让我可以只看pn两侧的少数载流子浓度分布的方法?或者就是在P区看到的是n的分布,同时在N区看到p的分布,这样我才可以算出波导的折射率发生了多少变化,对我来说多数载流子并不太多意义。2 在pn结中,无论是正偏还是反偏,这里有应该有一个大概几十或上百nm的“耗尽区”,在pn结中心的这个耗尽区应该是及不存在n也不存在p的,但是在charge solver的结果里我仍然看到有一个p浓度的从P区到N区的连续下降的过程,这个过程一直困扰我因为我认为在耗尽区不应该有如此多的载流子。


#4

抱歉,刚看到回复。
Q 1 有没有什么让我可以只看pn两侧的少数载流子浓度分布的方法?或者就是在P区看到的是n的分布,同时在N区看到p的分布,这样我才可以算出波导的折射率发生了多少变化,对我来说多数载流子并不太多意义。
A: 可以仅计算网格(点击Mesh图标),然后在Visualizer里查看
Q:2 在pn结中,无论是正偏还是反偏,这里有应该有一个大概几十或上百nm的“耗尽区”,在pn结中心的这个耗尽区应该是及不存在n也不存在p的,但是在charge solver的结果里我仍然看到有一个p浓度的从P区到N区的连续下降的过程,这个过程一直困扰我因为我认为在耗尽区不应该有如此多的载流子。
A:请将两区的掺杂有一点重叠试以下。


#5

您好,用mesh做出来的是未经分析的原始参杂状态,当有偏压时载流子浓度会发生改变,比如说加正向偏压,导致的结果是空穴被“推”到了N区,电子被“吸”到了P区,所以在PN两侧会出现少数载流子浓度变化的情况,这个变化在pn结附近比较明显,所以我希望能通过改变monitor的设置使之能同时显示在pn结P侧的少数载流子n和在pn结N侧的少数载流子p的分布情况,而非仅仅单一显示p或n在整个device的分布。其实公式是很简单的,但就是在下实在是学艺不精,不知如何设置monitor的属性,其他人说需要在script prompt写入指令,但是我不太会。。。


#6

你的原始文件里面有一个面监视器,你可以修改它:

我这个是添加的沿Z轴的监视器,你可以选线、面和体监视器,注意给定监视器的位置和尺寸。

不需要写Script就嫩个查看,仅当你要读取结果数据时才需要用脚本。


#7

是您说得对,但是无论选哪个轴,我都无法将两个变量p,n分别只plot一半对吧?无论是哪个监视器,我只希望在Pside看到n,在Nside看到p,这个是无法设置的,最起码在我看来。


#8

可以呀,任意位置,你可以仅记录其中一个:

record electrons
record holes

不要的不勾选就可以了。


#9

Oh!!!不好意思。。。