調整光源以及monitor問題(3)

您好:
繼上次問題,將波導厚度調整,也更改過老師先前幫忙改的檔案;目前仍然有TE波從上方波導輸入TE wave,出圖呈現如下圖的問題,但是後方s bend卻有光場…再煩請提點哪兒需要改善(左側port移至上方波導),謝謝!

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很可能是右边的长度还不够,模式还没有被限制在波导之中.你增加右侧波导长度和仿真长度试一下.后面是直波导,你可以增加多一点,直波导一个CELL就可以.

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您好:
增加右側波導長度,以及延長仿真區後,並增加s bend cell,以及將直波導cell改成1後,如圖:
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我估计你的弯曲波导还有一定的曲率半径,所以与直波导相接有漏光。你再看看右侧两个弯曲波导是不是已经直了,只有直了以后才可以接很长的直播到。你看看左侧,是不是有一段直波导?

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我修改你的的左面Port,得到


源文件的Port好像位置不对。
coupler_9_16_500nm_TeE_test.lms (1.1 MB)

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老師 您好:
原結構確實是從左方:直波導接S bend 再接 直波導 再一個s bend 再直波導 到右方;老師您的意思是 我右側的結構不完整,所以會漏光嗎?謝謝!

您好:
想詢問老師,我比對了以下原檔跟您修改過的,左側port好像沒有差異,是port1有變動;因為目前我希望將厚度修正為220nm,又遇到相同的問題。
想問再輸入光的時候有甚麼注意的嗎??例如z span以及y span要多大才行,謝謝

是我又说错了,是右侧的Port变化。 Port必须位于波导上。

修改厚度,请查看所有Port中的模式是正常的,而不是一个方向没有受到限制。

你是在我修改后的文件上修改的吗?如果是的,可能你需要的波导和模式有一个更深入的理解。

对于EME和FDE,最关键的是z span以及y span足够大不截断模式,否则就会产生衍射。虽然并没有距地规定模式强度在边界上下降到多少为合适,但是至少你可以用Log来看,最小强度大概在10(-5)或者更小可能比较合适。网格尺寸也可以适当考虑。

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老師您好:
想詢問看s matrix的abs^2 的意義?謝謝您

这个就代表功率量,可是透射率或者反射率。因为它是复数,一般只少要看其绝对值,仅仅实部或者虚部不代表什么。

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