Micro scale simulation에 관하여 질문드립니다

안녕하세요, micro size의 c-Si wire array를 simulation하는 중에 질문이 있습니다.

simulation 한 구조는 Microwire array가 hexagonal packing된 구조입니다.

(FDTD X, Y boundary는 각각 symmetric, anti-symmetric이고, Z는 PML입니다.)

wire의 길이는 5 um이며 center to center는 2.1 um 입니다.

image

문제는 첨부해드리는 이미지처럼 T가 100을 넘는 point들이 있습니다.

이 부분을 해결하기 위해 simulation time을 10,000 fs까지도 설정해봤지만 결과는 똑같았습니다.

이러한 오류를 고치려면 어떤 방법이 있는지 문의드립니다.

시뮬레이션 돌렸던 파일도 함께 드립니다.(파일용량이 큰 관계로 파일을 다운로드 받을 수 있는 링크를 첨부하였습니다. http://attach.mail.daum.net/bigfile/v1/urls/d/Frtexf3Z-CsF1FNjZn7ugJg71ys/paQnooUfYgC_NYdDu11PAA)

감사합니다.

시뮬레이션 파일을 살펴본 결과 다음과 같은 문제점이 보입니다.
1) Boundary conditions
source 의 polarization (파란색 화살표) 와 평행한 경계면에는 symmetric BC (파란색 shade), 수직한 경계면에는 anti-symmetric BC (녹색 shade) 를 적용하여야 합니다.
image
2) PML profile
source 의 파장대보다 구조물의 주기가 훨씬 크므로, multi-order diffraction 이 발생하게 되는데, 이경우 pml 에 경사져 입사하는 성분이 발생할 수 있습니다. Steep angle 로 입사하는 field 를 잘 흡수하려면 default 설정인 ‘standard’ 가 아닌 ‘steep angle’ 을 선택하는 것이 바람직합니다.
3) Mesh accuracy
Mesh accuracy =1 은 한 파장(최소파장) 내에 6 개의 mesh 를 사용하는 것으로, 이 상태에서는 물리적으로 의미가 있는 결과를 얻지 못할 가능성이 높습니다. Mesh accuracy 를 높이면 메모리 소모가 커서 줄이신 것 같은데, 최소한 mesh accuracy = 2 이상을 해줘야 의미가 있는 결과를 얻을 가능성이 높습니다.

This topic was automatically closed 3 days after the last reply. New replies are no longer allowed.