關於mesh的設定，請問老師有沒有什麼模擬設定上建議，可以使模擬結果正確且時間比較短一點?

[e1253400.cop05g]

老師您好:

我目前設計的結構是nano-rectangle，並且旋轉角度，他會使得x-pol入射的光，反射光會在特定波段有"偏振態轉換"的效果(x-pol入射->y-pol反射)。

下面是我模擬的結果，發現如果外加mesh不夠細的話，會使得結果有部分差異。

因為如果使用外加mesh=1nm^3，進行參數測試的話，模擬時間會太久。
請問老師有沒有什麼模擬設定上建議，可以使模擬結果正確且時間比較短一點?

謝謝老師!

模擬的結果

1. mesh=5nm^3 (simulation time: 12min)

Rxx:為x-pol入射x-pol的反射
Ryx:為x-pol入射y-pol的反射

2. mesh=2nm^3 (simulation time: 50min)
   

3. mesh=1nm^3 (simulation time: 7h23m)
   

[gsun]

应该是周期结构吧？
你用是什么平面波？宽光谱斜入射需要选择，参见

周期结构、宽光谱平面波斜入射时仿真应该使用什么边界条件（综合贴）

希望此帖子为这类问题提供一个清晰的解决方案。 使用周期性边界条件的前提是：结构和光源都必须举有周期性。平面波实际上有无限大的波阵面，用周期性边界相当于无限大。 问题：结构是周期的，当入射光为有角度入射，而非垂直入射时，fdtd仿真的边界条件应该用周期边界条件吗？还是bloch边界？均分别是怎么规定的？ A：周期结构、平面波入射时，在周期方向，一定是需要周期性边界条件。 在添加平面波时，需要选择平面波的类型： [image] 垂直入射时，可以使用Periodic，光源编辑界面上Bloch/Periodic是缺省的设置。 2.斜入射时，取决于使用什么平面波技术，有两个不同的方法： 2.1. Bloch边界条件 这是一种普遍的边界条件，由于数学上要求它只能针对指定的波长有指定的入射角，其它波长的实际入射角将不同于指定的那个入射角，因此一般情况下，它适合单波长计算。多波长需要扫描波长，此时需要锁定材料拟合和网格生成的光谱范围。光源编辑界面上Bloch/Periodic是缺省的设置，监视器也需要设置为记录单波长。 更多说明参见 宽光谱+Bloch，需要插值，适合宽光…

网格尺寸小，仿真时间自然长，因为网格细一倍，仿真时间步长减小一半，总仿真时间可能增加8倍。你可以使用对称性边界条件，删除不必要的监视器等。

不同网格谐振不同，可能是结果对网格非常敏感，也可能是PML的问题。没有看到文件很难说清楚。