FinFET仿真 总是提示no active (semiconductor) material were found in the simulation regin


#1

我在做一个FinFET的仿真, 基本上是一个纳米线,一端是source一端是drain,中间是gate, gate oxide是Al2O3,底下基本上是一个isolator:

我的模型能够mesh但是run的时候会出现 no active semiconductor were found. 我不明白为什么会有这个提示
实际这个模型中间是一根纳米线,但是为了在drain加电压,我在图中绿色纳米线两端各加了一个薄层,电压的边界条件就加在这两个薄层上。在想会不会是这个原因。

文件(dropbox):文件地址

谢谢!


#2

我们最近在忙於新版发佈, 稍後时间将会回答你的问题, 谢谢!


#3

我们没有dropbox帐户,无法得到你的文件。
不过,出现此问题的主要原因可能是,SOurce和Drain也是半导体材料,软件把与它们相连的半导体都作为电极处理了。你把这些电极变为金属看看。