求助,关于fdtd仿真用时过长的问题


#1

老师您好,我在仿真光电探测器时希望用FDTD得出generation然后导入DEVICE,但是不知为何我的结构并不复杂可仿真时间比官网的例子长很多。附:fdp文件GePD.fsp (1.1 MB)


#2

你的文件在X方向是100 微米,仿真慢是正常的。要提高速度你可以多用几个Process, 因为内存在2.5G左右。
此外建议你用我们推荐的PML类型


现在是都用同样的PML,你有空修改不同方向用不同的PML。


#3

多谢帮助,可是我看官网上那个sige的例子里FDTD仿真也有120微米,仿真时间却只有一个多小时,不知为何?


#4

内存不同,或者网格不同吧?
你说的是Germanium-on-Silicon Lateral Photodetector
Direct link: https://kb.lumerical.com/en/index.html?pic_photodetectors_sige_lpd.html
这个器件只有33.8微米。


#5

了解了,多谢老师!我再试试。