FDTD 消光截面计算

fdtd

#1

想请问一下消光截面一点计算问题。我的设置大概如下:
真空中银纳米盘+纳米环(Drude Model按文献设置的),光源是用TFSF,直接采用的cross section分析组,散射在外,吸收在里。

得到的消光截面


峰位和文献基本可以对上,但是在1300+nm处的散射很弱,和文献不符。调整过了网格等也并没有改变。
请问我的设置是哪里不够全面或者有错误呢?


#2

这个正常,一般来说很可能是银材料模型不同造成的,我们材料库中给出的三套数据都不同。
其次,银材料仿真本身有很大挑战,参见这个例子
此外,请参看这个帖子派出一些明显的原因。你也许需要增加FDTD的区域。
你这种情况很可能是折射率虚部与文献差别大。


#3

感谢孙老师的回复。

按照您的建议先检查了Drude Model的准确性。


按照文献给定的参数进行的设置并且和Palik参数基本符合。

然后参照例子将网格进行了细分,精细到xyz方向均为0.3nm的网格,由于结构对称采用了对称&反对称的边界条件。


但是得到的消光截面结果和之前是类似的,不知道还有哪里可能出现了问题?


#4

比较修改前后的结果可以看出,短波长的峰值变化不大,但是1300附近的消光截面从110000增加到了125000,还是有变化的,主要是吸收增加了。
0.3纳米的网格是我们网上哪个例子的测试结果。具体到每个仿真,到底需要多细的网格,是需要测试的。
建议你将仿真区增大,提高MeshAccuracy到3或者4,然后逐步减小细化网格的尺寸,监测1100到1600之间峰值的变化情况,知道这个峰值几乎不变才可以。

有些结构与网格尺寸依赖性很强,需要更细的网格。请再测试。还有,请用文献的材料参数,参见这个帖子