Far Field projectionsを用いた場合の散乱スペクトルと電場分布

Far Field projectionsを用いた場合の散乱スペクトルと電場分布をシミュレーションするために
TFSFsource(斜め入射)の入射波長を20°ずつ区切り、単一波長で入射し計算しているのですが、入射波長640 nm辺りから計算結果が収束しません。

FDTDの計算領域は散乱体から700nm程度の大きさを確保しているのですが、計算領域が小さいことや計算時間が短いことが原因でしょうか?
他に要因が考えられましたらご教授願います

シミュレーション状況としては、
2D、r=50のnanowire(Si Palik)を100 nmの真空ギャップを介してAu(Johnsoin&Christy)上方に配置した系で、
Far Field projectionsのDFTMonitorの設定は後方散乱のNa=0.9、
simulation time は 5000 fsです。

シムレーションが収束しないのにはいろいろな理由が挙げられると思いますが、
メッシュの細かさ、境界条件の設定をチェックしてみてください。
ファイルをアップロードしていただければ、問題がわかるかもしれません。

お返事ありがとうございます。
収束した460 nmと収束しなかった660 nmのファイルをアップロードします。
よろしくお願いします。lambda_460.fsp (1.6 MB)
lambda_660.fsp (2.8 MB)

This topic was automatically closed 3 days after the last reply. New replies are no longer allowed.