External QE에 대하여


#1

DEVICE를 이용하여 EQE를 구하고자 하나 DEVICE에 관련된 지식이 너무도 얕아 어려움을 겪고 있습니다.

현재 FDTD 솔루션을 통하여 QE는 계산해내었는데

맞는 것인지 확인할수가 없어서 여쭤봅니다.

또한 DEVICE에서 같은 모양의 구조를 만들었습니다만 도핑이나 등등 버튼이 활성화가 되어있지 않고 Ti은 재료에 없으며
도핑등등 어떤식으로 구조를 만들어야 되는지 알기가 어렵습니다.

예제는 pn diode나 solor cell만 있어 참고하기가 어렵습니다.

어떤식으로 구성해야 EQE를 구할수 있나요?


#2

첨부하신 파일의 구조를 바탕으로 짐작하면, 원하시는 것은 흡수된 빛으로 인해 생성된 charge 가 transport 되는 것을 시뮬레이션하여 최종적으로 EQE 를 구하는 것으로 생각됩니다. 이와 같은 문제는 Knowledge Base 의 ‘2D silicon square grating’ 예제와 거의 동일한 것으로 볼 수 있습니다. 적층된 구조물의 모양만 조금 다를 뿐, 전반적인 workflow 는 동일하기에 KB 의 예제를 설명을 따라가며 살펴보시기 바랍니다.

첨부하신 FDTD 파일에서 사용한 ‘QE’ analysis group 은 dipole source 가 주위 환경의 영향을 받아 실제로 방출하는 power 를 계산하는 것을 목적으로 하는 것이며, planewave 가 입사하여 흡수되는 정도를 계산하고 그로부터 charge generation rate 을 구하는 것은 ‘CW generation rate’ 이나 ‘Solar generation rate’ analysis group 을 사용하면 됩니다.

EQE 를 계산하고자 한다면 참고하신 논문에서 이를 어떻게 정의해 주는가를 우선 확인해보시기 바랍니다. 그리고, 다음의 게시물을 살펴보는 것도 도움이 되리라 생각합니다.

어느 위치에 어떤 doping 을 더해줄 것인가 하는 것은 ‘2D silicon square grating’ 와 같은 유사한 예를 참고로 하여 사용자가 직접 결정을 하여야 할 부분으로 보입니다. Doping 과 관련한 다음 페이지도 참고하시기 바랍니다.

Lumerical 에서 제공하는 default material 외의 물질은 사용자가 물질을 추가하고 물성을 지정하여 사용하면 됩니다.


Ti 의 경우 metal 에 해당하므로, metal 물질을 추가하고, work function 을 지정해주면 되리라 생각합니다.


#5

‘QE’ analysis group이 dipole 소스에서 사용되는 것이라는 것은 이해를 하였습니다.

그러하여 cw generation rate와 Pabs_adv를 사용하여 시뮬레이션을 돌려 Absorption은 구했으나

파장에 따른 QE를 어떻게 구해야 하는지 감이 잡히질 않습니다.

감사합니다.


#6

Pabs_adv 로부터 계산된 total absorbed power 는 EQE 와 동일합니다. 위에서 제가 권하였던 게시물에 이와 관련한 설명이 아주 상세하게 다루어져 있습니다. 자세히 살펴보시면 이해에 도움이 될 것입니다.


#7

제가 이리저리 시뮬레이션하고 자료 조사를 해본바 문제를 해결하였습니다…

거듭된 질문으로 불편함을 드려 죄송합니다. 그리고 감사합니다:joy: