您好，老师。
我正在学习如何使用varFDTD，为了检验自己的使用是否正确，于是想用EME和varFDTD仿真同一个结构，如果两者的结果一样，那么代表两者的使用都基本正确。
我选择仿真的结构类似于官网教程中的spot size converter，但是为了能够使用varFDTD，我将结构中嵌套的Si波导和包层向传播方向延长。
结构的整体描述是，在5μm的SiO2的基层上，有高度为200nm的Si波导，这一波导从左到右由400nm宽的直波导，宽度由400nm逐渐减小至200nm的taper，以及200nm宽的直波导三部分组成。在Si波导外有折射率为1.67的包层材料，仿真区域的背景折射率均为1。我要计算的是，从Si波导较粗的一端输入TE模，求在较细那一端Si波导中所得TE模的耦合效率。
一、利用EME计算
利用EME计算时，直波导部分设置为一个cell，taper部分设置为19个cell，EME中两个port的模式均设置为fundamental TE mode，运行仿真后查看S参数所得结果为
二、利用varFDTD计算
利用varFDTD计算时，设置Slab mode position在Si波导处，偏振Polarization设置为E Mode (TE)。在入射直波导放置了一个Mode Source并设置mode selection为fundamental mode，在出射直波导处放置了Frequency-domain field and power和Mode expansion监视器，设置Mode expansion监视器中展开模(mode selection)为fundamental mode。运行仿真后，查看Mode expansion监视器中的T_forward，结果是
三、问题
毫无疑问利用varFDTD所得到透射率结果是错的，我反复查看了论坛中关于varFDTD的帖子以及相关的例程，都不知道我在设置仿真环境时哪里出了问题。只在运行仿真时发现Autoshutoff level在某一时刻出现了大于1的情况（如下图所示），不过仿真结束时该值在e-5次方以下，我不知道这一情况是否和仿真所得透射率大于1有内在联系。
请问老师能否帮我看看我在varFDTD或是EME的设置中出现了什么问题才导致两种方法仿真的结果不同？谢谢！
仿真文件的程序为eme vs varfdtd.lms (632.0 KB)。请老师查看，谢谢！
