DEVICE를 통한 트랜지스터 분석


#1

다시한번 연락드리게됩니다. 현재 TFT를 연구중에 있는데요 시뮬레이션에 다소 어려움을 겪고 있습니다.
무엇이 문제인지 한번 봐주시겠습니까?

Zinc Oxide를 얇은 막으로 하여 채널을 만들고 그밑에 SiO2, gate를 만든것입니다.


파일첨부합니다. tft.ldev (2.0 MB)


#2

안녕하세요.

시뮬레이션에 다소 어려움을 겪고 있습니다.
무엇이 문제인지 한번 봐주시겠습니까?

질문의 내용만으로는 어떤 어려움을 가리키는 지 명확하지 않은 듯 합니다. 하지만, 시뮬레이션을 실행했을 때 다음과 같은 에러 메시지가 나오는 것으로 보아, 이 에러 관련 질문인 것으로 판단하고 답변을 드립니다.

이 에러메시지의 ‘Status’ 에 언급된 대로 그 부분을 우측 클릭하면 다음과 같은 내용이 나타나게 됩니다.

‘Job detail’ 에 따르면 이 에러는 시뮬레이션 영역에 물질이 지정되지 않은 부분이 있어서 발생한 것임을 알 수 있습니다. 이와 같은 에러가 발생하는 이유는 다음과 같은 두 가지 경우로 나누어 볼 수가 있습니다.

i) 사용되어진 구조물에 물질이 지정되지 않은 경우
ii) 시뮬레이션 (CHARGE) 영역 내에 구조물이 없는 빈 공간이 존재할 경우

첨부하신 시뮬레이션 파일을 보면 사용되어진 구조물 모두 지정된 물질이 존재하므로, i) 의 이유로 발생한 에러는 아님을 알 수 있습니다. 한편, 시뮬레시션 영역을 살펴보면 아래와 같이 구조물이 없는 빈공간이 존재하는 것을 알 수 있습니다. 따라서, 이 에러는 ii) 의 이유로 발생한 것이라고 할 수 있겠습니다.

DEVICE 에서는 시뮬레이션 전영역이 반도체,전도체 또는 절연체의 물질로 채워져야 합니다. 따라서, 시뮬레이션 전영역을 덮는 구조물을 추가하고, 적절한 물질을 지정한 후 mesh order 의 값을 다른 구조물 보다 높여주면 에러를 제거할 수 있으리라 생각합니다.