DEVICE를 통한 트랜지스터 분석

다시한번 연락드리게됩니다. 현재 TFT를 연구중에 있는데요 시뮬레이션에 다소 어려움을 겪고 있습니다.
무엇이 문제인지 한번 봐주시겠습니까?

Zinc Oxide를 얇은 막으로 하여 채널을 만들고 그밑에 SiO2, gate를 만든것입니다.


파일첨부합니다. tft.ldev (2.0 MB)

안녕하세요.

시뮬레이션에 다소 어려움을 겪고 있습니다.
무엇이 문제인지 한번 봐주시겠습니까?

질문의 내용만으로는 어떤 어려움을 가리키는 지 명확하지 않은 듯 합니다. 하지만, 시뮬레이션을 실행했을 때 다음과 같은 에러 메시지가 나오는 것으로 보아, 이 에러 관련 질문인 것으로 판단하고 답변을 드립니다.

이 에러메시지의 ‘Status’ 에 언급된 대로 그 부분을 우측 클릭하면 다음과 같은 내용이 나타나게 됩니다.

‘Job detail’ 에 따르면 이 에러는 시뮬레이션 영역에 물질이 지정되지 않은 부분이 있어서 발생한 것임을 알 수 있습니다. 이와 같은 에러가 발생하는 이유는 다음과 같은 두 가지 경우로 나누어 볼 수가 있습니다.

i) 사용되어진 구조물에 물질이 지정되지 않은 경우
ii) 시뮬레이션 (CHARGE) 영역 내에 구조물이 없는 빈 공간이 존재할 경우

첨부하신 시뮬레이션 파일을 보면 사용되어진 구조물 모두 지정된 물질이 존재하므로, i) 의 이유로 발생한 에러는 아님을 알 수 있습니다. 한편, 시뮬레시션 영역을 살펴보면 아래와 같이 구조물이 없는 빈공간이 존재하는 것을 알 수 있습니다. 따라서, 이 에러는 ii) 의 이유로 발생한 것이라고 할 수 있겠습니다.

DEVICE 에서는 시뮬레이션 전영역이 반도체,전도체 또는 절연체의 물질로 채워져야 합니다. 따라서, 시뮬레이션 전영역을 덮는 구조물을 추가하고, 적절한 물질을 지정한 후 mesh order 의 값을 다른 구조물 보다 높여주면 에러를 제거할 수 있으리라 생각합니다.

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