device中junction width设置为什么不同


#1

您好,在学习官网的案例https://kb.lumerical.com/en/index.html?pic_modulators_getting_started_mach_zehnder_instructions.html时候,我发现在对轻掺杂区域定义的时候,p区域掺杂的junction width定义成了200纳米,而n掺杂的junction width定义成了150纳米。一般p掺杂对折射率的改变影响更大。但是这样的设置,导致定义的两个区域在重叠部分p的掺杂浓度小于n的掺杂浓度(因为n掺杂的junction width较小,意味着n掺杂区域的mask-opening surface面积更大),这样造成了waveguide中的掺杂以n掺杂为主,而不是以p掺杂为主。请问为什么这样的设置目的是什么?谢谢


#2

你是说波导部分吧? n的掺杂浓度是1E17,而p掺杂是2E17。仔细分析,n的掺杂变化地方是从-0.05到+0.1;而p掺杂是-0.1到0.1,已经包住了n的掺杂变化地方,结果应该是P为主。你可以单独运行网格看看掺杂分布。