关于device中doping模块里ref concentration修改的问题

device

#1

如图,读了knowledge base中ref concentration的用途还是不太了解这个参考浓度是什么意义,请老师解答,谢谢!


#2

一般的半导体都有基础掺杂,这个ref concentration就是这个目的。当你设定掺杂浓度最大值为5.5e20每立方厘米时,由于扩散,从最大值过渡到ref concentration,其宽度就是junction width。所以这些数值不能任意设定,应该由所用工艺决定,因此用户最好有超静实验室的实际经验。


MZI调制器的3dB带宽