Device中仿真charge:报错 Non-finite result detected in update N


#1

老师您好!我在DEVICE中仿真ITO/HfO2/Si的电容型结构,想观察载流子随电压的变化,出现了 Non-finite result detected in update N 的错误,附上我的仿真文件C junction.ldev (5.9 MB)
我在仿真中经常遇到这个错误,请问这个问题出现应该从哪里入手排除错误呢?谢谢老师


#2

错误的根源在于,你把ITO的复合参数设错了

可以不要此种复合,但是不能设置为零。
修改后正常,而且弯曲也正常了(我做了其它修改,有些是不必要的,例如网格和节电常数)


C junction.ldev (5.9 MB)


Device中charge solver所得到的能带图与论文不符