DEVICE Charge仿真:Job error:Average variation in charge over cantact....请问怎么解决?

老师您好:
我现在在仿真垂直结构的MIS结构探测器。上下Al是电极,中间用表面等离激元结构增强吸收,然后用自输入的 材料特性做的无掺杂本征AlO层作绝缘介质结构,但是在仿真时,仿真0v是的明暗电流都有如下图的Job error。我已经把两个电极边界条件的“force ohmic”选了false,但是还是这样的error。请问这个问题怎么解决呢?
微信截图_20200524093111
G.mat (897.8 KB)微信截图_20200524093123|690x91up AlO Dark.ldev (5.7 MB) up AlO Light.ldev (6.6 MB)

如果不使用你的材料,而是用半导体材料,文件是工作的:


你说“ 无掺杂本征AlO层作绝缘介质结构”,实际上它仍然是半导体材料:

本征材料只是没有参杂,而参杂是通过Dopping实现的,不是在半导体材料内实现的。你的AIO有基础参杂:

此时就看你怎么定义“本征” 了。

不过,用你原来的文件,我修改网格尺寸后结果没有问题,参见附件。 一般情况下不要用很细的网格,因为有限元网格的有点就是曲面会较好地分辨。

up AlO Light_1.ldev (7.4 MB)
另外一个文件自己修改吧。

谢谢您的回复!我再试一下!