關於"Alternating Phase Shift Mask"的問題

[e1253400.cop05g]

老師您好:

我想請問關於Lithography的Alternating Phase Shift Mask，此範例的問題
https://kb.lumerical.com/en/index.html?micro_and_lith_alternating_phase_shift_mask.html

• 結構上的場分布不一樣

我發現Object field intensity，四個結構造成的電場分布圖的圖案是不一樣的，
如下圖(場分布的圖案:右上和左下一樣，左上和右下一樣)，
Q1:我覺得不一樣的原因，可能是etch的深度不一樣(因為要產生PI的相位差，連帶場分布也會不一樣)?
Q2:這樣不同的場分布，再後續投影到光阻上的強度應該也會不一樣，造成的線寬也會不一樣?

Q3:是否有方法使四個結構的場分布是一樣的，且使其有PI的相位變化，而具有Alternating Phase Shift Mask的功能?(想得到四個結構造成的場分布一致的結果:四個紅點)

謝謝老師!

[gsun]

不一样就对了，这是矢量场照明的结果，也就是在微结构情况下，即使是均匀平面波照明，结构表面上的光场也不会均匀，因为光场与微结构有相互作用。因此，没有方法使四個結構的場分布是一樣的，这是物理现实。

不同结构经过Lithography光刻后显示的形状与原始结构形状和照明光的偏振等有关：

[e1253400.cop05g]

謝謝老師:slight_smile: