關於"Alternating Phase Shift Mask"的問題

光场

#1

老師您好:

我想請問關於Lithography的Alternating Phase Shift Mask,此範例的問題
https://kb.lumerical.com/en/index.html?micro_and_lith_alternating_phase_shift_mask.html

  • 結構上的場分布不一樣

我發現Object field intensity,四個結構造成的電場分布圖的圖案是不一樣的,
如下圖(場分布的圖案:右上和左下一樣,左上和右下一樣),
Q1:我覺得不一樣的原因,可能是etch的深度不一樣(因為要產生PI的相位差,連帶場分布也會不一樣)?
Q2:這樣不同的場分布,再後續投影到光阻上的強度應該也會不一樣,造成的線寬也會不一樣?

Q3:是否有方法使四個結構的場分布是一樣的,且使其有PI的相位變化,而具有Alternating Phase Shift Mask的功能?(想得到四個結構造成的場分布一致的結果:四個紅點)

謝謝老師!


#2

不一样就对了,这是矢量场照明的结果,也就是在微结构情况下,即使是均匀平面波照明,结构表面上的光场也不会均匀,因为光场与微结构有相互作用。因此,没有方法使四個結構的場分布是一樣的,这是物理现实。

不同结构经过Lithography光刻后显示的形状与原始结构形状和照明光的偏振等有关:


#3

謝謝老師:slight_smile: