Alternating Phase Shift Mask:關於縮小因子(M)的問題


#1

老師您好:

我想請問關於Alternating Phase Shift Mask的問題
https://kb.lumerical.com/en/index.html?micro_and_lith_alternating_phase_shift_mask.html

Q1:請問當M(縮小因子)大於等於5的時候,就會失去Alternating Phase Shift Mask的功能(此範例)?

Q2:當縮小於至某倍率會失去功能(Phase Shift)的是"NA值"造成的? 是因大於接收角度的光會收不到,還是有其他的原因呢?

Q3:設定不同縮小倍率(如下圖),發現縮小的比例為非等比例?
(我覺得因該會是在同樣的面積下,M=1:有22個結構,M=2:有44個結構…)

Q4:如下列這些圖,均為x偏振+y偏振的電場合之結果(且已進行歸一化),當縮小(M)到某程度時,就會失去Phase Shift的功能,要如何從此電場分布圖判別? 且此判別的依據是? 或是無法從這些圖得到任何資訊?

M=1

M=2

M=3

M=4

M=5

M=6

謝謝老師!!


#2

你的测试很说明问题。
A1:取决于设计,包括照明波长、偏振、数值孔径以及结构形状等,缩小倍数太大的话可能得不到想要的形状了,因此就失效了;
A2:具体原因需要仿真、分析,你可以使用不同的NA看看结果如何。
A3:缩小是按几何形状来说的,当缩小的一段程度,那就是达到衍射极限了,就不会再小了。
A4:如何判别可能需要根据工业界的标准。比如,几何结构经过光刻后变形大什么程度就不能接受了。例如用关键尺寸(CD,Critical Dimension), 调制传递函数MTF等来衡量,请找一些参考资料看看。