宽光谱400-800nm仿真,低精度mesh1收敛,提高精度mesh2发散!


#1

老师您好!
我现在在做一个超透镜的仿真,TFSF光源垂直入射,全部PML边界条件,光源宽度设置为400-800纳米,材料针对仿真波长400-800nm拟合,发现仿真发散!做了各种测试
1 光源设置500-800纳米,不管低精度高精度都收敛,发现不收敛的波长主要集中在短波处(测试400-500nm依然发散)

2 光源宽度400-800纳米,为了解决短波长在高精度发散,我把边界条件设置为金属边界条件,依然发散,然后减小dt,从0.99较小到0.5依然发散!期间我把PML该为稳态stabilized,让PML远离结构并增加PML层数,还是发散!
请问老师,这种宽光谱仿真,在短波处发散的问题怎么解决呢?可以从哪些方面着手?


#2

这种描述一般很难给出直接解决方案,最好将文件发上来(通过修改前面帖子而不是发新贴)。

一般建议: 修改材料拟合;增加PML层数或改变PML类型;增加脉冲宽度等。此外,开拓通过时间监视器的频谱看看谐振波长在指定范围内还是之外。通过修改脉冲宽度可以将范围之外的谐振降到很低的程度。

之所以要改变PML,是考虑到可能散射角度比较大而且比较强,导致普通PML无法正常工作,可以采用SteepanglePML并增加层数。

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